業(yè)界對未來存儲市場走勢判斷出現(xiàn)分歧。摩根士丹利近日發(fā)布報告看壞DRAM市況，預期明年HBM市場可能供過于求，也有機構預計明年存儲市場在AI帶動下將實現(xiàn)xian著增長。廠商情況也出現(xiàn)分化，在美光發(fā)出亮眼財報的同時，有消息稱d一大存儲模組廠商金士頓已啟動降價策略。今年底至明年初的存儲市場將受到人們的guang泛關注。

與此同時，存儲行業(yè)的發(fā)展還受到新技術的影響。在gao端HBM需求暢旺的同時，DRAM和NAND Flash等開始面臨越來越嚴峻挑戰(zhàn)。而新興存儲技術如FeRAM、ReRAM、MRAM和PCM等則被寄予厚望。這些新興技術的發(fā)展和應用，將對未來的存儲市場產(chǎn)生深遠的影響。

存儲行業(yè)不再有周期？

今年上半年，由于原廠減產(chǎn)舉措的長期效應，有效帶動了系統(tǒng)終端客戶的備貨需求。進入第三季度，隨著原廠利潤回正，部分廠商已經(jīng)收回此前的全部虧損。但是，下半年行情出現(xiàn)變化，部分應用市場有可能迎來下滑拐點。這種變化不僅影響了DRAM和NAND Flash等不同存儲技術產(chǎn)品的市場表現(xiàn)，也反映了整個存儲行業(yè)在面對市場需求變化時的復雜反應。

摩根士丹利報告開出看壞DRAM市況的d一qiang。大摩的觀點是，每家內存廠都在根據(jù)HBM產(chǎn)出的z佳可能情況進行生產(chǎn)，現(xiàn)階段業(yè)界良好的HBM供應狀態(tài)至2025年時恐將面臨實際產(chǎn)出逐漸趕上，甚至超過當前被高估的需求量。一旦上述問題出現(xiàn)，將導致HBM供過于求。

而分析機構TechInsights則在發(fā)布的“2025年存儲器市場五大展望報告”中認為，存儲器市場，包括DRAM和NAND預計在2025年將實現(xiàn)xian著增長。這主要得益于人工智能（AI）及相關技術的加速采用。隨著AI的興起，特別是在機器學習和深度學習等數(shù)據(jù)密集型應用中，對HBM的需求空前高漲。預計HBM出貨量將同比增長70%。同時，隨著AI繼續(xù)滲透各行各業(yè)，對大容量固態(tài)硬盤（SSD）的需求也在上升。預計數(shù)據(jù)中心NAND bit 需求增長繼2024年約70%的baozha性增長之后，將在2025年超過30%。

存儲廠商的反饋情況也有不同。美光在z新發(fā)布的第四財報（6-8月）中，收入同比增長93%。這得益于數(shù)據(jù)中心DRAM和HBM的需求飆升。美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，“我們正以美光歷史上z好的競爭地位進入2025財年。我們預計d一財季收入將創(chuàng)紀錄，2025財年收入將創(chuàng)下可觀紀錄，盈利能力將xian著提高?！?/p>

三星電子看好明年HBM市場。預計到2025年HBM的晶圓投入量將從2024年的16%增至28%。到2028年，定制AI內存市場將從2023年的12.9GB擴大到229.4GB。

然而，有市場消息傳出，d一大存儲模組廠商金士頓已啟動降價策略，開始針對中低級產(chǎn)品進行甩賣清庫存。zhi名半導體分析師陸行之表示，中國臺灣地區(qū)的存儲模組廠商庫存普遍高達11個月，且并非jin限于中低級產(chǎn)品。一旦傳統(tǒng)DRAM價格下滑，認列庫存損失將成常態(tài)。

陸行之在9月初時曾警告，存儲行業(yè)不再有周期。9月28日又發(fā)文表示，近期除了能做HBM的存儲廠商，如SK海力士、美光、三星獲利率回升外，其他PC或消費型電子產(chǎn)品的存儲公司不但獲利不如預期，甚至還處于虧損或虧損邊緣。

對此，有產(chǎn)業(yè)內人士指出，除了HBM和數(shù)據(jù)中心SSD，因AI需求大增外，消費性電子市場表現(xiàn)疲軟，旺季不旺。

12層HBM3E新品受關注

盡管整體市況存疑，但在AI浪潮興起之下，與AI相關存儲產(chǎn)品需求依然旺盛，特別是gao端HBM產(chǎn)品。這也推動存儲廠商加快相關新產(chǎn)品的開發(fā)。

SK海力士9月26日宣布率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品，運行速度提高至9.6Gbps。SK海力士表示，12層HBM3E在面向AI的存儲器所需要的速度、容量、穩(wěn)定性等所有方面都已達到全球z高水平。

三星方面，之前也有消息稱，三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試，未來將大規(guī)模供貨。今年4月三星還表示正在使用旗下子公司Semes的混合鍵合設備制造16層HBM樣品。三星計劃在2025年試產(chǎn)HBM4，2026年量產(chǎn)，其中大部分為16層堆疊。

韓國zf已將HBM指定為一項戰(zhàn)略技術，并將提供26萬億韓元（196億美元）的稅收減免和其他支持，以促進半導體投資。

美光也在積極推進HBM的開發(fā)制造，目標是到2025年將HBM的市場份額提高到與DRAM市占率相當?shù)某潭龋s 20%-25%。有消息稱，美光正在美國愛達荷州博伊西的總部擴建與HBM相關的研發(fā)設施，包括生產(chǎn)和驗證線。同時，美光還考慮在馬來西亞的生產(chǎn)基地，建設HBM的生產(chǎn)能力。

MRDIMM開始進入市場

MRDIMM是一種新型內存技術，隨著數(shù)據(jù)中心對性能要求的日益嚴苛，傳統(tǒng)內存技術在帶寬、容量和延遲方面逐漸暴露出局限性，MRDIMM通過組合兩個DDR5內存模塊，可以雙倍的數(shù)據(jù)速率向主機提供數(shù)據(jù)。例如，如果兩個DDR5 DIMM各自運行在4400MT/s，通過MRDIMM技術整合后，輸出的數(shù)據(jù)傳輸速率可達到8800MT/s。

MRDIMM技術特別適用于內存密集型應用，如AI推理、模型再訓練、高性能計算等。這些應用對內存帶寬和容量有著極高的要求，MRDIMM能夠xian著提升這些應用的效率和性能。

今年7月美光開始送樣MRDIMM模塊，并表示將于2024年下半年開始批量出貨。近日英特爾至強6性能核發(fā)布，該處理器為AI和科學計算等內存帶寬敏感型工作負載提供了搭載MRDIMM的選擇。

英特爾數(shù)據(jù)中心與人工智能集團副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理陳葆立介紹，至強6性能核處理器能夠支持多種不同的工作負載。有些工作負載對內存帶寬吞吐量非常敏感。采用MRDIMM可使數(shù)據(jù)能夠快速從SSD轉移到更快的內存中，包括與CPU的交互，可以讓科學計算獲得非常xian著的性能提升。此外，對于大模型推理來說，整個邏輯是將模型直接加載到內存中，而不是存儲在SSD中。通過內存與CPU、GPU的交互，可以迅速輸出答案。

寧暢副總裁兼首席技術官趙雷在對比HBM與MRDIMM的應用時指出，HBM也可以用在CPU上，英特爾曾經(jīng)在第四代至強的時候推出過采用HBM的產(chǎn)品，但與當前推出的采用MRDIMM的處理器產(chǎn)品是不同的技術方向。相對而言，HBM搭配CPU具有特定的應用領域，它的受眾范圍相對來說較窄，MRDIMM的產(chǎn)品更泛用或者說能夠面向更多行業(yè)。

新型存儲市場開始增長

人工智能也推動了新型存儲器的應用發(fā)展。近日，ObjectiveAnalysis和CoughlinAssociates發(fā)布報告顯示，新型存儲器已經(jīng)開始增長，到2032年應該會攀升至約440億美元。

目前，新型存儲領域較為成熟的技術路線主要有相變存儲器（PCM）、磁變存儲器（MRAM）、鐵電存儲器（FRAM），以及阻變存儲器（RRAM）4種。PCM通過相變材料相態(tài)的變化獲得不同的電阻值，MRAM通過磁性材料中磁疇/自旋磁籌的方向變化改變電阻，F(xiàn)RAM利用“鐵電”效應來存儲數(shù)據(jù)，RRAM則利用阻變材料中導電通道的產(chǎn)生或關閉實現(xiàn)電阻變化。

由于RRAM獨特的隨機和電氣特性， 基于RRAM的PUF（physical unclonable function物理不可克?。┘夹g能夠為數(shù)據(jù)提供更強有力的保護，應用于安全存儲等領域；此外，高能效、低功耗的RRAM具有豐富的開關動態(tài)，可以支持大規(guī)模集成、低功耗外wei設備和用于構建類腦計算芯片和系統(tǒng)的特定應用架構等特點，使其在人工智能、存內計算和旨在模仿人腦的應用程序中具有xian著優(yōu)勢，成為下一代內存的主要競爭者。

北京航空航天大學集成電路科學與工程學院副院長王新河在此前發(fā)表演講時也指出，傳統(tǒng)的存儲技術無法實現(xiàn)數(shù)據(jù)高速訪問與數(shù)據(jù)非易失存儲的結合，嚴重制約計算機性能的。MRAM的應用場景，包括高可靠性內存、企業(yè)級硬盤、MCU等，發(fā)展前景看好。目前我國MRAM產(chǎn)業(yè)雛形已經(jīng)基本成立，制造、設計、設備、應用都已經(jīng)有廠商參與，我國MRAM產(chǎn)業(yè)將持續(xù)快速發(fā)展。

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